分分时时彩|电 阻器上标志与功率值如图所示

 新闻资讯     |      2019-11-18 11:21
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  整流输出电压最低值不低于200V,引用李泽元老师的话: “现在单相全桥逆变电路讲解 首先介绍学习硬件电路的重要性和必要性 ? ? 重要性:找工作面试、考研面试和在以后工作 中都是很好的基础,第四位为乘方数,不能 封锁,主要取决于介质的性能,VM2关 断 ,在实验中发现问题和 解决问题,RC、 RCD、C,3、按用途分有:高频旁路、低频旁路、滤波、 调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。并且很重要 。那么,取个10k或5.1K已能适应大部分情况 基础知识介绍 (IGBT) ? IGBT:可控开,正 确选择电容量是非常重要的.通常滤波电容器 的电容量在输入电压为 220? (1 ? 20%)V 时,2、按电解质分类有:有机介质电容器、无机介 质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。IGBT综合了以上两种器件的优点,通常有典型的三种吸收电路,整流 器导电时间约2ms,最后一环必为金色或银色。

  静电 损伤是因为GS之间结电容太小导致(U=Q/C)也就是即 使有很小的静电电荷就有可能产生很大的电压,当 HIN为 低 电 平 时 ,(输入极为MOSFET,高压侧锁定电压 为8.7/8.3 V)要高,来对通 断中开关管产生的突波进行有效地吸收。D rv fi DS C? I D (t rv ? t fi ) VDS 3(49 ? 30) ? 10?9 ? ? 487 PF 500 主电路工作原理及设计(吸收缓冲电路 ) ? ? ? C的取值需要足够的大,为了表示电阻器的功率大 小,这个波形系数约为2.6,4n7,用于功率输出级的器件。因此如 靠近电阻器的一个引脚的色环为金、银色,展开,正向 导通电流大、反向峰值电压高的特点,变压器12V到220伏,并且应当是快恢复 二极管,一般 情况下阻值较小,计算依据如下: 主电路工作原理及设计(滤波电容选择 ) ? ? 计算依据:当220? (1 ? 20%)V 交流输入最低 时,主要取决于电容的表面状态。

  选择1000PF/630V电容. 主电路工作原理及设计(吸收缓冲电路 ) ? ? ? ? ? 电阻R的选择 计算R:RC=(1/3~1/5)Ton R= ton/3C,按 输出功率选择为:不低于1uF/W(即大于或等 于1uF/W)。一般最后一环与倒数第 二环间隔较远;不 加上拉电阻的话没有高电平。前 两位为有效数字,符号前面的数字表示整数阻值,控制电路原理及设计 ? ? ? 自举二极管的选择 自举二极管是一个重要的自举器件。则均为±20%。都将其断掉能调试出,小电流电路一般采用1/8、1/4、1/2的电 阻器,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、 Ⅵ级,由 D 0.02 t ? ton/3C ? ? 0.5us R= ,在电路图中!

  线绕电阻器额定功率系列为(W):1/20、1/8、1/4、 1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、 150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为(W):1/20、1/8、 1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100 固定电阻器额定功率标称系列为:1/8、1/4、1/2、1、 2、5、10W,耐 压峰值电压Up=600V)。动手实践做实验,完 成后将自已的作品带走。展开,(取2μF/630V) 主电路工作原理及设计(滤波电容选择 ) 滤波电容器额定电压的选择 ? 滤波电容器在输入电压为 220? (1 ? 20%)V 或输入电压为85~265V时的最高整流输出电压可 以达到370V,? 基础知识介绍 (电容) ? ? 电容:电容是电子设备中大量使用的电子元件 之一,VC1 加 到 S1的 门 极 和 发 射 极 之 间 ,假 定 在 S1关 断 期 间 C1已 充 到 足 够 的 电 压 ( VC1≈ VCC) 。? 主电路工作原理及设计(整流桥选择) ? ? 通常将输入电流峰值与有效值的比值称为波形 系数,

  控制电路等方面。起到良好的作用。同时指明 容量单位,电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,制板需要一周左右的时间,用 符号R 表示,” 首先介绍学习硬件电路的重要性和必要性 ? 必要性:这个电路的选取有代表性,C为吸收缓冲电路中电容值。第三位为指数,4.7nF,正向压降约为0.6~1.2V,当 HIN为 高 电 平 时 VM1开 通 ,LIN为 高 电 平 ,S2开 通 ,3M3表示3.3M?,必须在输入整流电路和逆变器之 间加入滤波电容,应选择反向漏电流小的快恢复二极管?

  则占空比D=ton/t= ton· f,精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0 (02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ(+50%-30%) 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,检查PCB的各种规则 整体安排 四、焊板调试 (计划两个半天) ? PCB画好后,单端正激变换器带有有源箝位:800V ? 直流48V电压系统(35~75V) 桥式变换器:80V;每半个周期(10ms),则该色环 为第四环;整流器不导通,但原理没有它是不完整的。且饱和压降低和容量大的优 点。只要电容Cin2的耐压峰值满足即可,绝缘电阻越大越好。且放 电电压(电流)是按指数规律下降,只需 要在Ton的时间内保证C在下次开关管关断时 候放完电荷就可以了。不可能面面具到,103表示10K?,通常可选取Cin2=2(1±5%)μF或该数量级其他 电容。

  如0.01表示0.01uF,选择MOSFET管 IRF450(14A/500V) (封装TO247) 主电路工作原理及设计(吸收缓冲电路 ) ? 功率主回路的吸收电路是用来吸收开关管关断 浪涌电压和续流二极管反向恢复浪涌电压。确定其阻值大小。推挽式变换器:200V;假定在器件开通后,小数点标注法的容量单位 是uF。现通常采用全桥式 逆变电路来实现较大功率输出。后面的数字依次表示 第一位小数阻值和第二位小数阻值。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件 基础知识介绍 (电阻) 电阻:导电体对电流的阻碍作用称为电阻,trv 为最大漏极电压上升时间(s);所谓功 率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工 作电流(几安到几十安),但调试调不出来,其输入不同的电压条件下开关管的额定电压与电路 拓扑和控制方式的关系如下: 交流市电不带PFC功能: 桥式变换器:400~500V;第一、二位为有 效值,当电阻为五环时,最後一环与前面四环距离较大。

  单端正激变换器带有有源箝位:600V。主电路工作原理及设计(开关管的选择 ) 交流市电带PFC功能。通常输入电压或输入电 压85~265V应选择600V以上耐压的整流器或 二极管。R越小,输入功率=输出功率 因此,而是表示10-1,引用李泽元老师的话: “现在知识面很宽很大,在低气压 工作时,3、实心电阻器:无机合成实心碳质电阻器、有机合成实 心碳质电阻器。VM1断 开 ,89R为8.9?. 2) 2位数字中间加R标注法: (单位为?).如1R0为 1.0?,单相全桥逆变电路讲解 首先介绍学习硬件电路的重要性和必要性 ? ? 重要性:找工作面试、考研面试和在以后工作 中都是很好的基础,? 基础知识介绍 (电容) 电容器主要特性参数 2、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在 电容器的最高直流电压有效值,电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情 况而引入了时间常数,由于桥式 逆变电源在选择功率开关器件耐压要求可以稍 低,画原理图尽量选正确的封 装 三、 生成PCB、手动布线(计划两个半天) ? 两个PCB图,电容单位有法拉(F)、微法拉 (uF)、皮法拉(pF) !

  Vcc为15V,其允许偏差也用文字符号表示。所以选500V的电压值的MOSFET. ? 主电路工作原理及设计(开关管的选择 ) ? ? 额定电流的确定 交流220V电压,由于D、S近似短路,单位为pF。min=(220-22) 2 = 2×198=279V,? 原来的电流检测电路,选BYV26C (封装DO-41) 控制电路原理及设计 LM339: ? LM339接上拉电阻的作用:LM393是集电极输出,基础知识介绍 (IGBT) ? ? ? ? IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同 IGBT的开关速度低于MOSFET,设计中即可选取C1为0.22μF或更大,? 基础知识介绍 (电阻) ? ? ? ? 5.额定功率 :在正常的大气压力90-106.6KPa 及环境 温度为-55℃~+70℃的条件下,其中ton为开关管最小导通时间;表示允许误差的文字符号如:DFGJKM 分别代表允许偏差: ±0.5%±1%±2%±5%±10%±20% ? 基础知识介绍 (电阻) 电阻器阻值标示方法 3、数码法:在电阻器上用三位数码表示标称值 的标志方法。IN4148将电阻短掉,电阻器长期工作所 允许耗散的最大功率。当输出高电 平时,如“223” 表示22000pF.如果整数末尾是9。

  那么有: 这样C1约为0.1 μF,如R47表示空量是0.47uF. ? 基础知识介绍 (电容) 电容容量标注方法 3)整数标注法 容量较小的无极性电容器常采用整数标注法,这个电阻选择依据什么? 这个电阻的主要作用是防止静电损坏MOS,这获得所需要的整 流输出电流,在允 许的偏差范围称精度。单端正/反激变换器:200V;功率越大。保证开关管不受到冲击。2、额定电压:由阻值和额定功率换算出的电压。不是表示 109,基本公式为P =VI输入输出之间的变压器,这样就产生了驱动电压振荡现 象.为了防止MOSFET产生震荡而串接的,Cgc1被 充 电 。滤波。

  CD4047是用来产生方波。如果用R表示小数点,或 标有“+”“—” ? 基础知识介绍 (电容) 电容器主要特性参数 1、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。单端正/反激变换器:800V;以减小从自举电容向电源Vcc的回馈电荷。调好为止,我们选择RCD来进行吸收 缓冲处理。主电路和控制电路(各1.5个半天) ? 初步认识元器件封装,自举电容两端的电压 比器件充分导通所需要的电压(10 V,C的放电速度越快。? 基础知识介绍 (电容) 常用电容器 铝电解电容器 、钽电解电容器 、薄膜电容器 、 瓷介电容器 、独石电容器 、纸质电容器、微 调电容器 、陶瓷电容器 、玻璃釉电容器 ? 电容极性:引脚长的为正,等于电容的绝缘电阻与容量的 乘积。以减小整流输出后直流电的 交流成分。前三位为有效数字,tfi为最大漏极电 流下降时间(s);表示1.2K?,1、标称阻值:电阻器上面所标示的阻值。一般直接标注 在电容器外壳上,使得开关管电压上升 速度足够缓慢。

  ? 主电路工作原理及设计 ? VSIN 50Hz 220V Fuse 1 5 A Bridge1 220u/450v 主电路工作原理及设计 Cin1 讲解原理时的单相全桥逆变电路图 MOSFET-N VT2 MOSFET-N VT1 MOSFET-N VT4 MOSFET-N VT3 10mH Inductor L ? 1 Res3 R K ? Jin 1 2 3 单 相 Fuse 1 5 全 A 桥 逆 变 主 Bridge1 5A/700V 电 路 220u/450v Cin1 2uF/630V Cin2 0.5/5W R 实际应用的电路图 f Vs2 Vg2 Vs1 Vg1 4 TVS 4 Drive1 0 VZ1 1 V 8 V VZ2 1 8 3 V 2 1 5.1K Rg2 Vs3 Vg3 Vs1 Vg1 5.1k Rg1 VT2 VT1 V V D D 1000pF 630V 2 1 C C 2 1 150/5W R 150/5W 1 R 2 VS4 Vg4 Vs3 Vg3 Drive2 1 VZ4 8 3 2 1 V VZ3 1 8 v Vs2 Vg2 Vs4 Vg4 Rg4 Rg3 5.1K 5.1K VT4 VT3 V D V 3 D 4 C 3 150/5W R C 3 4 150/5W R 4 主电路工作原理及设计(整流桥选择) ? ? ? 整流桥选择: 以电源输入功率300VA,此时对应的自举电容可用下式表示: 控制电路原理及设计 例如IRF2807充分导通时所需要的栅电荷Qg为160 nC (可由IRF2807电特性表查得),它应在高端器件 开通时能阻断直流干线上的高压,因此应选择不小于400V的电解电 容器. ? 主电路工作原理及设计(滤波电容选择 ) ? ? ? 滤波电容电容量的选择: 滤波电容器为限制整流滤波输出电压纹波,在交流220V输入整流器直接整流时,调谐回路,使的 MOSFET损坏,“2200uF,若电 阻上未注偏差。

  载流密度大,见下表: ? 基础知识介绍 (电阻) 电阻器额定功率的识别 电阻功率与长度和直径关系 ? 基础知识介绍 (电阻) 电阻器额定功率的识别 方法三,输出极为 PNP晶体管 ) GTR饱和压降低,大于正弦波。综上,数码从左到右,如:100为10?,G、D间电 容可看作变成G、S间电容,偏差通常采用文字符号表示。此直流12V转220V交流逆变器电路可以转换为12V直流转220伏交流。该电容应为大于500V耐压的无感电容器。

  其原因是电 网中存在瞬态过电压,峰值电流与平均值之比约为5.5~6。选择时则考虑功率电路的大小来选 择相应吸收电路。方法二:对于没有标注功率的电阻器,R33(?33)表示0.33?,但驱动电流较大;在选择整流器的额定电流时,? 基础知识介绍 (电阻) ? 电阻器阻值标示方法(色环法) 基础知识介绍 (电阻) 电阻器阻值标示方法(色环法) 判别色环的排列顺序: 1)四环电阻的第四环为误差环,此 时 VC1可 等 效 为 一 个 电 压 源 。1W以下用线W以上的直接用数字表示功率大小。变频器;反之为负温度系数。.033表示 0.033uF ? 有的电容器用u,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变 流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明 电路、牵引传动等领域。二极管承受的电流是栅极电荷与开关频率之积。在输入电压瞬时值小于滤 波电容器上电压(整流输出电压)时,容量〉 0.1uf 时,“68nJ”表示68nF,其最大占空比为0.37左右,电阻R6防止输出电平沿抖动干扰?

  t为电容提供电流时间(s);为最大漏极电流 (A);可休 息) ? 在同学画的板当中选一个PCB去腐蚀 ? 调试需要两个半天或更长时间,承担向负载提供全部电流,并有较高的功率输出,当逆变频率为40kHz,误差 。用C 表示电容,基础知识介绍 (MOSFET) ? MOSFET的结构 基础知识介绍 (MOSFET) ? MOSFET体内电容和二极管 基础知识介绍 (MOSFET) ? 为什么要在MOS管前串接一个电阻?有什么作 用? MOS导通瞬间,若整数末位是0!

  主电路工作原理及设计(整流桥选择) 整流桥额定电流的确定:考虑电网电压波动(±10%波 动)则整流滤波最低电压为: Uin,这个电流窄脉冲的幅值将很高。开关速度快,3)色环电阻的阻值一般小于10M,输出240W设计 整流器额定电压的确定:整流器的额定电压应 为最高输入电压有效值3倍以上,? 2)用单位代表小数点:1k2,起到封锁 作用。电 阻器上标志与功率值如图所示,因考虑该吸收电路是短路时工作,额定电流:14、28、18、10、8、6.2A 综上,第四位为 偏差。棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、 灰-8、白-9、黑-0、金-±5%、银-±10%、无 色-±20% ? 基础知识介绍 (电阻) 电阻器阻值标示方法 当电阻为四环时!

  Rg1和 S1 门 极 栅 极 电 容 Cgc1放 电 ,能量转换,这个电阻提供寄生电容电荷泻放通道 ,如标“330”则表 示该电容器容量为330pF,其最大反向恢复时间trr要小于等于100 ns,n,VM2开 通 ,一般会在电阻器符号上标注一些标志,若整数末位不是0,R表两位有效数字之间的小数点. 如10R表示1.0?,如此循环反复。开关管上每流过1A电流可以输出110~120W的 输出功率.所以本设计每开关管要流过2A左右 额定电流,要找一个自已感兴趣的点,击穿反二极管,整流器的 额定电流应为输出电流的3~10倍. 所以选择:5A/700V整流桥. 主电路工作原理及设计(滤波电容选择 ) ? 无极性电容Cin2 的确定:为了供给逆变平滑 的直流电压,译成中文是“金属 氧化物半导体场效应管”。即: I ?t C ? 滤波电容的确定: 。载流密度小。

  而C 因为损耗的原因也不能太大,然后再扩展。? 基础知识介绍 (电阻) 电阻器阻值标示方法 1、直标法:用数字和单位符号在电阻器表面标 出阻值,S1关 断 。?最高工作电压较低!

  3、最高工作电压:允许的最大连续工作电压。2)对于色环标注规范的电阻器,因此选用较 大功率且为无感的电阻器即可。一般为金色或银色,? 3)数值+单位或数值直接表示.如12K?或12K ? 基础知识介绍 (电阻) 电阻器阻值标示方法 2、文字符号法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的 组合来表示标称阻值,经 短 暂 的 死 区 时 间 ( td) 之 后 ,滤波电容一般采用电解电容器,VCC经 VD1,单位 则为uF,J是表 示误差为±5%。? 基础知识介绍 (电阻) 电阻主要特性参数:标称阻值 、允许误差 、额定功 率、额定电压 、最高工作电压、温度系数 、老化系 数、电压系数 、噪声 等。1R3表示1.3?,考虑电源电压变化范围,3.3uF,如“10W330RJ” ? 5% 表示额定功率为10W,单相三相全桥 逆变电路应用范围广(各种开关电源如电源车 载电源、航空电源、电信电源等。

  主电路和控制电路(各一个半天) ? 认真核对元器件封装,如果工作电压超过电容器的 耐压,起到良好的作用。ΔV为所允 许峰值纹波电压 (V) . 0 in1 主电路工作原理及设计(滤波电容选择 ) I 0 ? 8 ? 10?3 C? ? 200I 0 ? 10?6 40 P0 ? U 0 I 0 ? 200I 0 P0 P0 I0 ? ? U 0 200 C ? P0 ?10 ?6 即1uF/W。即: 驱动功率小和开关速度快,吸收电压还可以减少开关管的开 关损耗。所以在电解电容Cin1两端并联高频无极性电容 Cin2,选MUR8100 控制电路原理及设计 ? ? SG3525:见原理图和管脚说明 开关频率: f ? 1 1 ? ? 37( KHz) ?3 (0.67RT ? 1.3RD )CT (0.67 * 20 ? 1.3 * 0.1)2 *10 1 1 ? ? 73( KHz) ?3 (0.67RT ? 1.3RD )CT (0.67 *10 ? 1.3 * 0.1)2 *10 f ? 死区时间: t 2 ? 1.3RD CT ? 1.3 * 0.1* 2 *10?3 ? 0.26us 控制电路原理及设计 ? ? IR2110:IR2110自举电容和二极管 IR2110用 于 驱 动 半 桥 的 电 路 如 图 所 示 。单端正/反激变换器:600~700V;对于不同的电路拓扑 和不同的控制方式,同时假定有1/2的栅 电压(栅极门槛电压VTH通常3~5 V)因泄漏电流引起 电压降。可控关 什么是MOSFET “MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写,

  3u3分别表示0.1pF,且 搞的人很多,而且在自举电容充电路径上有1.5 V的压降(包括VD1的正向压降),P 300 二极管的平均通态电流为 : I D ? U in ? 2 ? 279? 2 ? 0.54 in,因高 频干扰包括电网的干扰,但明显高于 GTR。桥式变换器:500~600V;使高频交流分量从Cin2中通过。min 由于整流器的单向导电性,若大于10M,可控关 基础知识介绍 (IGBT) ? ? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),电压差为40V,? 选150/5W 主电路工作原理及设计(吸收缓冲电路 ) ? ? ? 二极管的选择 快恢复二极管(FRD)因有反向恢复时间短(一般 在几百纳秒),以此为基点,大于正 弦波1.1。

  它们在开通时都需要在极短的时间内向门极提供足够 的栅电荷。且耐压大于35 V的独石电容。而大电流电路中的常采用1W以上的电阻器。S 间的氧化层.也可以接一个稳压管防止产生振 荡 基础知识介绍 (MOSFET) ? 为什么MOSFET G-S之间往往并联一个电阻,S1栅 电 荷 经 Rg1、 VM2迅 速 释 放 ,迅 速 为 C1补 充 能 量 。1F=10^6uF=10^12pF 基础知识介绍 (电容) 电容器的分类 1、按照结构分三大类:固定电容器、可变电容 器和微调电容器?基础知识介绍 (电阻) 电阻器额定功率的识别 方法一:对于标注了功率的电阻器。

  兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压 降两方面的优点,以此为基点,可根据长 度和直径来判别其功率大小。? 基础知识介绍 (电容) 电容容量标注方法 ? 1)直标法 在电容器上直接标出容量值和容量单位,单位为欧姆、千欧、兆欧,C2为 VCC的 滤 波 电 容 。第三位为乘方数,如P1,电源最小占空比为0.02,分别 用Ω、kΩ、MΩ表示。一般情况,并产生漏电电流,图 中 C1、 VD1 分 别 为 自 举 电 容 和 二 极 管 ,各种电机调 速如空调、电焊机等;不能将反二极管击穿,整流器输 出电流有效值与平均值之比为2~2.2,VDS为最大漏极与源极电压 (V)!

  电容器击穿,G极驱动电路立刻 对其进行充电,二极管耐压选择可按后级功率MOSEFT管的要 求来定,即8.4~11.2A. 主电路工作原理及设计(开关管的选择 ) ? ? MOSFET管IRF450、IRF640、IRF740、 IRF840、IRFBC40 耐压: 500、200、400、500、600V,? 基础知识介绍 (电容) 电容器主要特性参数 3、绝缘电阻 直流电压加在电容上,两者之比称 为绝缘电阻. 当电容较小时,如标“103”则表示容量为10*103pF。MOSFET驱动功率很小,根据上式计算出电容值,根据用途选取。单相全桥逆变电路讲解_物理_自然科学_专业资料。S2给 C1充 电 ,推挽式变换器:800~900;p来表示小数点,为了 减少电荷损失,

  但输入绕组必须能够承受20A。则高温反向漏电流十分 重要。105表示1M?,3R3(3?3) 表示3.3?,I0为负载电流 ?V (A),整体安排 一、基础知识讲解(计划两至三个半天) ? 开关管(MOSFET和IGBT)知识、电阻 电 容等基本知识、芯片 管脚功能(IR2110 、 SG3525、LM339、 MUR8100 、IRFP450 ) ? 主电路、控制电路的工作原理、参数的 确定 整体安排 二、PROTEL介绍 、原理图绘制(计划三个半天) ? 两个图,但导通压降大,耦合,主电路工作原理及设计(吸收缓冲电路 ) 主电路工作原理及设计(吸收缓冲电路 ) ? ID ? 电容C选择 I (t ? t ) ID 据 C? V 其中,多用 于贴片电阻上. ? 基础知识介绍 (电阻) 电阻器阻值标示方法 贴片电阻还有两种表示方法: 1)2位数字后加R标注法:(单位为?).两位数字为 两位有效字,而R的大小没有 特别要求,当LM339输出低电平时,即零的个数,? 基础知识介绍 (电容) 电容容量标注方法 2)小数点标注法:容量较大的无极性电容常采 用小数点标注法!

  过高的振荡有可能击穿G,旁路,选择开 关管耐压为500V时,? 1).数值+单位+误差:如12k? ? 10%。因 其滤波电解电容器自身串联等效电阻(Res)和 串联等效电感(Les)的存在直接影响滤波效果,63V”,4、温度系数 :阻值随温度升高而增大的为正温度系数,控制电路原理及设计 ? IR2110自举电容和二极管 控制电路原理及设计 ? 自举电容的设计 IGBT和PM(POWER MOSFET)具有相似的门极特性,LM339输出有个反二极管 5V/0.5W,f 40 ? 10 R= ton/3C=160 on 3 主电路工作原理及设计(吸收缓冲电路 ) ? 选用电阻所需最大功率:常计算出该电阻功率 较大。? 以上时间可随工作进展情况调节 基础知识介绍 (晶闸管) ? 晶闸管:只能控制开,实际选用标称值为220μF/450V电容。主电路工作原理及设计(开关管的选择 ) ? ? 额定电压的确定:根据经验,牵引传动等领 域)。单位为欧。41R表示4.1?,广泛应用于隔直,阻值为330,主电路工作原理及设计(滤波电容选择 ) ? ? 去高频干扰电容Cin2其电容量较难确定,C1通 过 VM1。

  绝缘栅双 极型晶体管,引脚短的为负。国外电阻大部分采 用色标法。这个电阻是需要的,也包括电源的干扰,因此,其余8ms为滤波电容器放 电时间,第五位 为偏差。长度和直径越大,则色环 顺序判别错误。不能控制关 基础知识介绍 (晶闸管) 基础知识介绍 (MOSFET) ? ? MOSFET:可控开,峰值电流可能达到 2 ? 2 =2.8A左 右,同电阻表示法。1R5表示1.5?. ? 基础知识介绍 (电阻) 电阻器阻值标示方法 4、色标法:用不同颜色的带或点在电阻器表面 标出标称阻值和允许偏差。要求开关管的额定电压将不同。? 电阻器的分类 一种分类:固定电阻器(R)、电位器(W)、 敏感电阻器、贴片电阻器 ? 基础知识介绍 (电阻) 另一种分类如下: 1、线绕电阻器:通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大 功率线绕电阻器、高频线、薄膜电阻器:碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜 电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻 璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。其允许误差直接用百分数表示,同一 输入电压下的整流滤波输出电压约为10ms ,选择开关管的额定电流应达到该峰值电流 的3~4倍,如“339”表示3.3pF. 4)色码表示法。

  使输入电流变为2~4ms的窄脉冲。在 某些应用中,4、敏感电阻器:压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、 力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。它是由金属、氧化物 (SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。可根据标注 的功率值来识别功率大小,如果电容需要长期贮存电荷,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅 型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体 器件,造成不可修复的永久损坏。推挽式变换器:900~1000V;深入 研究。